宽频带隙半导体市场:功率半导体器件需求上升,推动全球市场

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根据透明市场研究公司发布的一份关于宽带隙半导体市场的最新研究报告,预计全球宽带隙半导体市场的价值将达到美元30亿年通过2027,以~的复合年增长率膨胀22%20192027.根据这份报告,全球宽带隙半导体市场在预测期内,将继续受到一系列宏观经济和特定市场因素的影响。

功率半导体器件需求上升驱动宽带隙半导体市场

  • 宽频带隙(WBG)半导体的使用使功率半导体器件比市场上其他半导体材料更小、更快、更可靠和高效。宽频带隙半导体材料具有重量轻、寿命长、能隙大等优点,在全球不同类型的功率半导体器件中得到了广泛的应用。
  • 广泛的商业可用性,WBG半导体功率器件的价格下降,以及用于电信设备、计算机、军事设备、电动汽车和光伏逆变器等应用的氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的需求增加,预计将在不久的将来推动全球宽带隙半导体市场。
  • 预计,随着宽频带隙半导体材料投资的增加和在功率半导体领域的应用,预计在预测期内,全球宽频带隙半导体市场将会进一步扩大。

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能源和公用事业最终用途行业占主导份额

  • 该报告提供了全球宽带隙半导体市场的详细细分:在材料(碳化硅[SiC]、氮化镓[GaN]、金刚石等)、应用(混合动力/电动汽车、光伏逆变器、铁路牵引、风力涡轮机、电源、电机驱动器、UPS等)和最终用途工业(汽车、航空航天和国防、IT和消费者、能源和公用事业等)方面。全球市场也按照地区(北美、欧洲、亚太、南美、中东和非洲)进行了细分。
  • 在材料中,碳化硅(SiC)部分占据了2018年全球宽带隙半导体市场的领先份额。预计在预测期内,该领域将保持其在全球宽带隙半导体市场的主导地位。
  • 混合动力/电动汽车应用领域预计将引领全球宽带隙半导体市场,并在预测期内以较高的复合年增长率扩张。
  • 能源和公用事业是全球宽带隙半导体市场中极具吸引力的终端工业部门。就市场规模而言,这是最大的细分市场。预计在预测期内,这一领域将快速扩张。此外,不同功率半导体制造商的宽带隙半导体材料采购增加,预计将在预测期内推动全球宽带隙半导体市场。

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投资开发新产品以推动宽带隙半导体市场

本报告提供了全球宽带隙半导体市场的主要厂商的概况。这些都是Cree, Inc.、GeneSiC Semiconductor Inc.、Infineon Technologies AG、Panasonic Corporation、ST Microelectronics n.v.、ON Semiconductor、ROHM Semiconductor、OSRAM Opto Semiconductors GmbH .、TT Electronics、Qorvo, Inc.和Broadcom Inc.

  • ROHM半导体是一家领先的宽带隙半导体(SiC和GaN)材料制造商。开始批量生产碳化硅肖特基二极管、碳化硅平面mosfet等碳化硅功率元件2010.在2019年2月该公司宣布,计划在先进机器的帮助下升级现有的WBG半导体生产设施,预计将在年底完成2020.
  • 2019年8月, ON Semiconductor在其产品线中引入了宽带隙(WBG)硅碳(SiC) MOSFET。该公司预计,由于WBG半导体器件在汽车电气系统和电动汽车等应用领域的使用量增加,该新产品在不久的将来将迎来高需求。

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